2023-12-18 05:12:22
怎样检测变频器逆变模块?1)判断晶闸管极性及好坏的方法选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量晶闸管的任两个极之间的正反向电阻,其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大,则判定该极为阳极(A)。然后选择指针万用表的R×1Ω档。黑表笔接晶闸管的阳极(A),红表笔接晶闸管的其中一极假设为阴极(K),另一极为控制极(G)。黑表笔不要离开阳极(A)同时触击控制极(G),若万用表指针偏转并站住,则判定晶闸管的假设极性阴极(K)和控制极(G)是正确的,且该晶闸管元件为好的晶闸管。若万用表指针不偏转,颠倒晶闸管的假设极性再测量。若万用表指针偏转并站住,则晶闸管的第二次假设极性为正确的,该晶闸管为好的晶闸管。否则为坏的晶闸管。
大部分时间是作为MOSFET来运行的,只是在漏源电压Uds下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间,tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之和,漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极-发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏极电流的关断时间t(off)=td(off)+trv十t(f)式中:td(off)与trv之和又称为存储时间。IGBT的开关速度低于MOSFET,但明显高于GTR。